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SemiQ

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SemiQ

Introducción

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

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Categoría
7
Productos
373

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GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Descripción: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP2D010A170B

GP2D010A170B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GSXD030A004S1-D3

GSXD030A004S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GCMS080A120S1-E1

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Descripción: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GCMS004A120S7B1

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Descripción: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Descripción: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Descripción: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GSXF100A120S1-D3

GSXF100A120S1-D3

Descripción: DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP2D040A120U

GP2D040A120U

Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GDP30P120B

GDP30P120B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Descripción: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GDP50P120B

GDP50P120B

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Descripción: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GSXF060A040S1-D3

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Descripción: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GSXD160A008S1-D3

GSXD160A008S1-D3

Descripción: DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP2M020A060N

GP2M020A060N

Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP1M009A050HS

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GP1M010A060H

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GSXD100A018S1-D3

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GSXD050A006S1-D3

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GSID150A120S3B1

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Descripción: SILICON IGBT MODULES

Fabricantes: Global Power Technologies Group
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GHXS030A120S-D1

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Descripción: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Existencias disponibles
RFQ
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