Según los informes, Samsung ha reducido el uso de fotorresistentes gruesos (PR) en su último proceso de litografía NAND 3D, lo que resulta en un ahorro significativo de costos.Sin embargo, este movimiento puede afectar a su proveedor coreano Dongjin Semiconductor.
Samsung ha reducido el uso de PR para la producción de NAND 3D a la mitad, reduciendo el consumo de 7-8 cc por recubrimiento a 4-4.5 cc.Los analistas de la industria predicen que los ingresos del semiconductor de Dongjin pueden disminuir, destacando el impacto más amplio de las medidas de reducción de costos en la dinámica de la cadena de suministro.
Se informa que Samsung está comprometido a mejorar la eficiencia del proceso de NAND y reducir los costos, y ha reducido con éxito el uso de fotorresistentes a través de dos innovaciones clave.En primer lugar, Samsung optimizó las revoluciones por minuto (RPM) y la velocidad de la máquina de recubrimiento durante el proceso de aplicación, reduciendo el uso de PR mientras mantiene condiciones de grabado óptimas y ahorrando significativamente los costos al tiempo que mantiene la calidad del recubrimiento.En segundo lugar, se ha mejorado el proceso de grabado después de la aplicación PR, y aunque el uso del material se ha reducido, aún se pueden obtener mejores resultados o mejores resultados.
El aumento en las capas de apilamiento en 3D NAND ha aumentado los costos de producción.Para mejorar la eficiencia, Samsung ha adoptado KRF PR en su NAND de la 7ª y octava generación, lo que permite la formación de múltiples capas en una sola aplicación.Aunque KRF PR es altamente adecuado para los procesos de apilamiento, su alta viscosidad plantea desafíos para recubrir la uniformidad y aumenta la complejidad de la producción.La producción de relaciones públicas implica procesos complejos, estándares de alta pureza, investigación y desarrollo extensos y largos ciclos de validación, lo que establece enormes barreras técnicas para los nuevos participantes en el mercado.
