1HN04CH-TL-W

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Especificaciones

Número de pieza

1HN04CH-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1HN04CH-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-CPH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 140mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

1HN04CH-TL-W-ND
1HN04CH-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 270mA (Ta) Surface Mount 3-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

270mA (Ta)

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