1N4005

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Especificaciones

Número de pieza

1N4005
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1N4005.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1A
Tensión - Desglose

DO-41
Serie

-
Estado RoHS

Bulk
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

-
Polarización

DO-204AL, DO-41, Axial
Otros nombres

1N4005OS
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

1N4005
Descripción ampliada

Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
configuración de diodo

10µA @ 600V
Descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

600V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO-41

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Fabricantes: Diodes Incorporated

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1N4005-E3/73

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

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1N4005 TR

Descripción: DIODE GEN PURPOSE DO41

Fabricantes: Central Semiconductor

Existencias disponibles

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1N4004RLG

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Existencias disponibles

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Descripción: DIODE GEN PURPOSE DO41

Fabricantes: Central Semiconductor

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