Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N4446_T50R
RFQs/Orden (0)
español
español
5637493Imagen 1N4446_T50RAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4446_T50R

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4446_T50R
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N4446_T50R.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 20mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25nA @ 20V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Número de pieza base
    1N4446

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

23/11/2024

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

22/11/2024

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "1N4446_T50R".
1N4448

1N4448

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4448 BK

1N4448 BK

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4446TR

1N4446TR

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4446

1N4446

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4448,133

1N4448,133

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricantes: Nexperia
Existencias disponibles
RFQ
1N4447TR

1N4447TR

Descripción: DIODE GEN PURP 100V DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4446

1N4446

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4447

1N4447

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4437_FT

1N4437_FT

Descripción: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4436

1N4436

Descripción: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4448 TR

1N4448 TR

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor Corp
Existencias disponibles
RFQ
1N4447

1N4447

Descripción: DIODE GEN PURP 100V DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4446 BK

1N4446 BK

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
1N4448

1N4448

Descripción: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4444-1

1N4444-1

Descripción: DIODE SWITCHING

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N4385GPHE3/54

1N4385GPHE3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N4385GP-E3/54

1N4385GP-E3/54

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N4446 TR

1N4446 TR

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N4448,113

1N4448,113

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.