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4006637Imagen 1N483BTRAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N483BTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N483BTR
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N483BTR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    80V
  • Paquete del dispositivo
    DO-35
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    25nA @ 60V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    1N483

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Fabricantes: Microsemi Corporation
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1N483B

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Descripción: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
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