1N914B_S00Z

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Especificaciones

Número de pieza

1N914B_S00Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N914B_S00Z.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

DO-35
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
Paquete / Cubierta

DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io)

200mA
Capacitancia Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

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