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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N5308_D26Z
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2N5308_D26Z

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N5308_D26Z
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2N5308_D26Z.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    625mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1.2A
  • Número de pieza base
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