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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N5415
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2N5415

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N5415
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    PNP 10W 200V 1A TRANSISTOR
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    2N5415.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    200V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-39
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    -
  • Paquete / Cubierta
    TO-39
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 100mA 1W Through Hole TO-39
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 50mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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