2N6387G

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Especificaciones

Número de pieza

2N6387G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2N6387G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

2N6387G-ND
2N6387GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 10A 2W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A
Número de pieza base

2N6387

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "2N6387G".

2N6349AG

Descripción:

Fabricantes: Hamlin / Littelfuse

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