2N7000-D75Z

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Especificaciones

Número de pieza

2N7000-D75Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2N7000-D75Z.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres

2N7000-D75ZTB
2N7000_D75Z
2N7000_D75Z-ND
2N7000_D75ZFSTB
2N7000_D75ZFSTB-ND
2N7000_D75ZTB
2N7000_D75ZTB-ND
2N7000D75Z
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)
Número de pieza base

2N7000

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