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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N7053_D75Z
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2N7053_D75Z

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N7053_D75Z
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2N7053_D75Z.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 100µA, 100mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-226
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 1.5A 200MHz 1W Through Hole TO-226
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 1A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    200nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1.5A
  • Número de pieza base
    2N7053

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Descripción: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226

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Descripción: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-226

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Fabricantes: Microsemi
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