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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SB1201T-E

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2017656

Imagen 2SB1201T-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1201T-E

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Especificaciones

Número de pieza

2SB1201T-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 50V 2A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SB1201T-E.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TP
Serie

-
Potencia - Max

800mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

150MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 150MHz 800mW Through Hole TP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

2SB1201

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