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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SB1302T-TD-E
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6122294Imagen 2SB1302T-TD-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1302T-TD-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SB1302T-TD-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SB1302T-TD-E.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    20V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 60mA, 3A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    PCP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.3W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    2SB1302T-TD-E-ND
    2SB1302T-TD-EOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    320MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 320MHz 1.3W Surface Mount PCP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    5A

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