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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2SC6099-TL-E
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2SC6099-TL-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SC6099-TL-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 2A TP-FA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SC6099-TL-E.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    165mV @ 100mA, 1A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    2-TP-FA
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    2SC6099-TL-E-ND
    2SC6099-TL-EOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    300MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 300MHz 800mW Surface Mount 2-TP-FA
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    300 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A

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