2SD1060R-1E

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Especificaciones

Número de pieza

2SD1060R-1E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 50V 5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SD1060R-1E.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 300mA, 3A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

30MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 5A 30MHz 1.75W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

5A

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Descripción: TRANS NPN 100V 0.02A MINI 3P

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