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5001396Imagen 2SD1816T-EAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SD1816T-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SD1816T-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 4A TP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SD1816T-E.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Otros nombres
    2SD1816T-E-ND
    2SD1816T-EOS
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    180MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A
  • Número de pieza base
    2SD1816

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