2SK3666-3-TB-E

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Especificaciones

Número de pieza

2SK3666-3-TB-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK3666-3-TB-E.pdf
Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id

180mV @ 1µA
Paquete del dispositivo

3-CP
Serie

-
Resistencia - RDS (on)

200 Ohms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

869-1107-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

JFET N-Channel 10mA 200mW Surface Mount 3-CP
Consumo de corriente (Id) - Max

10mA
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)

1.2mA @ 10V
Número de pieza base

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