2SK3747

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Especificaciones

Número de pieza

2SK3747
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2SK3747.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±35V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3PML
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

13 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

TO-3P-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1500V
Descripción detallada

N-Channel 1500V 2A (Ta) 3W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-3PML
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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