2V7002WT1G

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Especificaciones

Número de pieza

2V7002WT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2V7002WT1G.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-3 (SOT323)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

1.6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

280mW (Tj)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

2V7002WT1G-ND
2V7002WT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

24.5pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

310mA (Ta)

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