5LN01C-TB-E

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Especificaciones

Número de pieza

5LN01C-TB-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

5LN01C-TB-E.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-CP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.8 Ohm @ 50mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

250mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

5LN01C-TB-E-ND
5LN01C-TB-EOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6.6pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.57nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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