ATP108-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ATP108-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ATP108-TL-H.pdf
Voltaje - Prueba

3850pF @ 20V
Tensión - Desglose

ATPAK
VGS (th) (Max) @Id

10.4 mOhm @ 35A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

70A (Ta)
Polarización

ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres

869-1076-2
869-1076-2-ND
ATP108-SPL
ATP108-TL-HOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Número de pieza del fabricante

ATP108-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

79.5nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Característica de FET

P-Channel
Descripción ampliada

P-Channel 40V 70A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40V
relación de capacidades

60W (Tc)

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