ATP602-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

ATP602-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ATP602-TL-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ATPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.7 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres

869-1089-1
ATP602TLH
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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