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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BD1376S

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD1376S

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Especificaciones

Número de pieza

BD1376S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BD1376S.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-126
Serie

-
Potencia - Max

1.25W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-126
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1.5A
Número de pieza base

BD137

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