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Imagen BD18010STU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD18010STU

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Especificaciones

Número de pieza

BD18010STU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 80V 3A TO-126
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BD18010STU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-126
Serie

-
Potencia - Max

30W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 3A 3MHz 30W Through Hole TO-126
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

BD180

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