BD677AG

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Especificaciones

Número de pieza

BD677AG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BD677AG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-225AA
Serie

-
Potencia - Max

40W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Otros nombres

BD677AG-ND
BD677AGOS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)

500µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

4A
Número de pieza base

BD677

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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BD677AS

Descripción: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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