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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BD679ASTU
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6414002Imagen BD679ASTUAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD679ASTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BD679ASTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BD679ASTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2.8V @ 40mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-126
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    40W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Otros nombres
    BD679ASTU-ND
    BD679ASTUFS
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    19 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    750 @ 2A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A
  • Número de pieza base
    BD679

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