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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BDV65BG
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2768754Imagen BDV65BGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BDV65BG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BDV65BG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 10A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BDV65BG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2V @ 20mA, 5A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    125W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    BDV65BG-ND
    BDV65BGOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole TO-247
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A

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