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3612033Imagen BDX33BGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BDX33BG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BDX33BG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BDX33BG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    2.5V @ 6mA, 3A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    70W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    BDX33BG-ND
    BDX33BGOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 70W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    750 @ 3A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A
  • Número de pieza base
    BDX33

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