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BS170_L34Z

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BS170_L34Z
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 1mA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    830mW (Ta)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    40pF @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    500mA (Ta)
  • Número de pieza base
    BS170

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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