BU407

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Especificaciones

Número de pieza

BU407
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.BU407.pdf
2.BU407.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

150V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

60W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

10MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 7A 10MHz 60W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Corriente - corte del colector (Max)

5mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

7A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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BU4070B

Descripción: IC GATE XOR 4CH 2-INP 14DIP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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