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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BUB323ZT4G
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6026392Imagen BUB323ZT4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BUB323ZT4G

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$1.191
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Especificaciones
  • Número de pieza
    BUB323ZT4G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BUB323ZT4G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    350V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.7V @ 250mA, 10A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    150W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    BUB323ZT4GOS
    BUB323ZT4GOS-ND
    BUB323ZT4GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    2MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    500 @ 5A, 4.6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A
  • Número de pieza base
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