BYW29-200G

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Especificaciones

Número de pieza

BYW29-200G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BYW29-200G.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 20A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

TO-220-2
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

SWITCHMODE™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-2
Otros nombres

BYW29-200G-ND
BYW29-200GOS
BYW29200G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220-2
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io)

8A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

BYW29-200

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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

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