CNY17F4VM

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Especificaciones

Número de pieza

CNY17F4VM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 4.17KV TRANS 6DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CNY17F4VM.pdf
Salida de voltaje - (Max)

70V
Voltaje - Aislamiento

4170Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.35V
VCE de saturación (Max)

400mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

2µs, 3µs
Paquete del dispositivo

6-DIP
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

4µs, 3.5µs (Max)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de salida

Transistor
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
Relación de transferencia de corriente (mín)

160% @ 10mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

320% @ 10mA
Corriente - Salida / Canal

50mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

60mA

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