CPH6337-TL-W

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Especificaciones

Número de pieza

CPH6337-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CPH6337-TL-W.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-CPH
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

70 mOhm @ 1.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

CPH6337-TL-W-ND
CPH6337-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-CPH
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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Descripción: RF MOSFET NPN 12V CPH6

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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