DAP222M3T5G

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Especificaciones

Número de pieza

DAP222M3T5G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT723
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DAP222M3T5G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

SOT-723
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-723
Otros nombres

DAP222M3T5GOSCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SOT-723
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100mA (DC)
Número de pieza base

DAP222

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DAP222MT2L

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA VMD3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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