DCB010-TB-E

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Especificaciones

Número de pieza

DCB010-TB-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY GP 80V 100MA 3CP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DCB010-TB-E.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

3-CP
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-96
Otros nombres

DCB010-TB-EOSCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

125°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-96
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100mA

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