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1846503Imagen DLA11C-TR-EON Semiconductor

DLA11C-TR-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DLA11C-TR-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DLA11C-TR-E.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1A
  • Tensión - Desglose
    -
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    2-SMD
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    50ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    DLA11C-TR-E
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount
  • configuración de diodo
    10µA @ 200V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    980mV @ 1.1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    200V
  • Capacitancia Vr, F
    150°C (Max)

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