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825282Imagen DLE30EON Semiconductor

DLE30E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DLE30E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DLE30E.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3A
  • Tensión - Desglose
    Axial
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-201AD, Axial
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    30ns
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    DLE30E
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial
  • configuración de diodo
    20µA @ 400V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.25V @ 1A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    400V
  • Capacitancia Vr, F
    150°C (Max)

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