ECH8697R-TL-W

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Especificaciones

Número de pieza

ECH8697R-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ECH8697R-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

SOT-28FL/ECH8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

11.6 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

ECH8697R-TL-W-ND
ECH8697R-TL-WOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

24V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 10A 1.5W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A

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