EFC8811R-TF

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Especificaciones

Número de pieza

EFC8811R-TF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 6CSP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EFC8811R-TF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

6-CSP (1.77x3.54)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

-
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, No Lead
Otros nombres

EFC8811R-TFOSCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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