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5702192Imagen EMG2DXV5T1AMI Semiconductor / ON Semiconductor

EMG2DXV5T1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EMG2DXV5T1
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    EMG2DXV5T1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-553
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    230mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-553
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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