EMH2417R-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

EMH2417R-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EMH2417R-TL-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo

SOT-383FL, EMH8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 11A 1.3W Surface Mount SOT-383FL, EMH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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