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Casa > Productos > Protección del circuito > TVs-diodos > ESD5381MUT5G
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3088432Imagen ESD5381MUT5GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

ESD5381MUT5G

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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    ESD5381MUT5G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TVS DIODE 3V 10.5V 2X3DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ESD5381MUT5G.pdf
  • Tensión - separación inverso (típico)
    3V (Max)
  • Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp
    10.5V
  • Voltaje - Desglose (Min)
    6.1V
  • Canales unidireccionales
    1
  • Tipo
    Zener
  • Paquete del dispositivo
    2-X3DFN (0.62x0.32)
  • Serie
    -
  • Protección de la línea eléctrica
    No
  • Potencia - Pico de pulso
    -
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    0201 (0603 Metric)
  • Otros nombres
    ESD5381MUT5GOSDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    13 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs)
    1A (8/20µs)
  • Capacitancia Frecuencia
    -
  • aplicaciones
    General Purpose

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RFQ
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Descripción: TVS DIODE BI-DIR SMD5

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Descripción: CAP CER 0.1UF 100V X7R 0805

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Descripción: TVS DIODE 3V 26V 2X3DFN

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