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FCB199N65S3

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Especificaciones

Número de pieza

FCB199N65S3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FCB199N65S3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs

199 mOhm @ 7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

98W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1225pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

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