FCH110N65F-F155

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Especificaciones

Número de pieza

FCH110N65F-F155
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCH110N65F-F155.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 3.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 Long Leads
Serie

FRFET®, SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

110 mOhm @ 17.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

357W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

FCH110N65F_F155
FCH110N65F_F155-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4895pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

145nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FCH125N60E

Descripción: MOSFET N-CH 600V 29A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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