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FCP099N65S3

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Especificaciones

Número de pieza

FCP099N65S3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FCP099N65S3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

SuperFET® III
RDS (Max) @Id, Vgs

99 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

61nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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