FCP190N60E

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Especificaciones

Número de pieza

FCP190N60E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCP190N60E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

190 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

208W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

52 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3175pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20.6A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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