FCPF2250N80Z

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Especificaciones

Número de pieza

FCPF2250N80Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FCPF2250N80Z.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 260µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs

2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

21.9W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

585pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FCPF2250N80Z".

FCPF190N65S3L1

Descripción: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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