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FDB1D7N10CL7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FDB1D7N10CL7
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FDB1D7N10CL7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 700µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK (TO-263)
  • Serie
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.65 mOhm @ 100A, 15V
  • La disipación de energía (máximo)
    250W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    11600pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    163nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 15V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    268A (Tc)

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